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ONSEMI FCD360N65S3R0 MOSFET, N-KANAL, 650V, 10A, TO-252


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2895704
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FCD360N65S3R0
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31 ohm
  • Produktpalette: SUPERFET III
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 10 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 83 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V
  • SVHC: Lead (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FCD360N65S3R0, 2895704, 289-5704
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