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ONSEMI NVMFS6H818NT1G MOSFET, AEC-Q101, N-KANAL, 80V, DFN


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2895711
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NVMFS6H818NT1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 5 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 123 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: DFN
  • Drain-Source-Spannung Vds: 80 V
  • Verlustleistung: 136 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: Lead (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVMFS6H818NT1G, 2895711, 289-5711
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