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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2932916
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHA4N80E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
Produktpalette: E
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 4.3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220FP
  • Drain-Source-Spannung Vds: 800 V
  • Verlustleistung: 69 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: Lead (19-Jan-2021)
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1 ohm
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHA4N80E-GE3, 2932916, 293-2916
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