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VISHAY SIHU4N80E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 800V, 4.3A, 150°C, 69W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2932937
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHU4N80E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1 ohm
  • Produktpalette: E
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 4.3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-251
  • Drain-Source-Spannung Vds: 800 V
  • Verlustleistung: 69 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: Lead (19-Jan-2021)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHU4N80E-GE3, 2932937, 293-2937
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