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ROHM RJ1P12BBDTLL MOSFET, N-KANAL, 120A, 100V, TO-263AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2948666
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RJ1P12BBDTLL
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 120 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263AB
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 178 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: Lead (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RJ1P12BBDTLL, 2948666, 294-8666
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