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STMICROELECTRONICS A1P50S65M2 IGBT-MODUL, NPN, 650V, 50A, 208W, MODUL


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2980976
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     A1P50S65M2
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
4000 CMOS
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
Produktpalette: ACEPACK 1
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Dauer-Kollektorstrom: 50 A
  • Bauform - Transistor: Modul
  • IGBT-Anschluss: Lötanschluss
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95 V
  • Verlustleistung: 208 W
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: schalttransistor npn, 4000 cmos, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, A1P50S65M2, 2980976, 298-0976
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