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IGBT-Modul, Halbbrücke, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2986061

Hersteller:
STARPOWER

Herst.-Nr.:
GD150HFY120C1S

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
Transistor Array

Produktpalette: -

Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Dauer-Kollektorstrom: 230 A

Bauform - Transistor: Modul

IGBT-Anschluss: Stiftbolzen

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 V

Verlustleistung: 746 W

SVHC: To Be Advised

IGBT-Technologie: Trench/Feldstop

Transistormontage: Platte

IGBT-Konfiguration: Halbbrücke

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > IGBTs > IGBT-Module

Weitere Suchbegriffe: transistor array, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, STARPOWER, GD150HFY120C1S, 2986061, 298-6061

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