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ONSEMI NVB072N65S3 MOSFET AECQ101, N-KANAL, 650V, 44A, 312W

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-3010506

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
NVB072N65S3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061 ohm

Produktpalette: SUPERFET III

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 44 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)

Drain-Source-Spannung Vds: 650 V

Verlustleistung: 312 W

Qualifikation: AEC-Q101

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V

SVHC: Lead (14-Jun-2023)

RoHS konform: Keine Angaben

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVB072N65S3, 3010506, 301-0506

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