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| Artikel-Nr.: 8737-3019102 Herst.-Nr.: SIHP35N60EF-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084 ohmProduktpalette: EF MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 32 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-220AB Drain-Source-Spannung Vds: 600 VVerlustleistung: 250 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: Lead (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHP35N60EF-GE3, 3019102, 301-9102 |
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