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STMICROELECTRONICS STB100N6F7 MOSFET N-KANAL 60V, 100A, 125W, TO-263


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-3130065
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STB100N6F7
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 100a
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047 ohm
  • Produktpalette: STripFET F7
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 100 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 125 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STB100N6F7, 3130065, 313-0065
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