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| Artikel-Nr.: 8737-3131943 Herst.-Nr.: SISS05DN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028 ohmProduktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 108 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK 1212 Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 65.7 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 VSVHC: Lead (10-Jun-2022) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SISS05DN-T1-GE3, 3131943, 313-1943 |
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