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ROHM RGT8TM65DGC9 IGBT, 650V, 5A, 175DEG C, 16W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3132334
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGT8TM65DGC9
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V
  • Bauform - Transistor: TO-220NFM
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom: 5 A
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Verlustleistung: 16 W
  • SVHC: Lead (17-Jan-2023)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, Gleichrichter, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RGT8TM65DGC9, 3132334, 313-2334
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