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ROHM RGTH50TK65GC11 IGBT, 650V, 26A, 175DEG C, 59W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3132340
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGTH50TK65GC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V
  • Bauform - Transistor: TO-3PFM
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom: 26 A
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Verlustleistung: 59 W
  • SVHC: Lead (17-Jan-2023)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, Gleichrichter, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RGTH50TK65GC11, 3132340, 313-2340
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