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ONSEMI FGY120T65SPD-F085 IGBT, AEC-Q101, 650V, 120A, 882W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3253705
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FGY120T65SPD-F085
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
on semiconductor igbt
Produktpalette: Field Stop Trench Series
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120 A
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Verlustleistung: 882 W
  • SVHC: Lead (14-Jun-2023)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: igbt, Dioden, Einfache, Gleichrichter, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FGY120T65SPD-F085, 3253705, 325-3705
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