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ONSEMI NVBG020N090SC1 MOSFET, N-KANAL, 900V, 112A, 175°C, 477W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3367862
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NVBG020N090SC1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 15 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 7 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 112 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 900 V
  • Verlustleistung: 477 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6 V
  • SVHC: Lead (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVBG020N090SC1, 3367862, 336-7862
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