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IXYS SEMICONDUCTOR IXFB30N120P MOSFET, N-KANAL, 1.2KV, 30A, PLUS264


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-3438372
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFB30N120P
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35 ohm
  • Produktpalette: Polar HiPerFET
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 30 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PLUS264
  • Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV
  • Verlustleistung: 1.25 kW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5 V
  • SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFB30N120P, 3438372, 343-8372
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