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| Artikel-Nr.: 8737-3438384 Herst.-Nr.: IXFH52N30P EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073 ohmProduktpalette: Polar HiperFET Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 52 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 300 VVerlustleistung: 400 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2023) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFH52N30P, 3438384, 343-8384 |
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