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IXYS SEMICONDUCTOR IXFP12N65X2 MOSFET, N-KANAL, 650V, 12A, TO-220


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3438390
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFP12N65X2
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31 ohm
  • Produktpalette: X2-Class HiperFET
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 12 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 180 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFP12N65X2, 3438390, 343-8390
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