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IXYS SEMICONDUCTOR IXTN210P10T MOSFET-MODUL, P-KANAL, 100V, 210A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3438414
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTN210P10T
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet
Kanaltyp: p-Kanal
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075 ohm
  • Produktpalette: TrenchP
  • Dauer-Drainstrom Id: 210 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 830 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: 210a mosfet, Dioden, FETs, Gleichrichter, MOSFET-Module, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXTN210P10T, 3438414, 343-8414
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