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IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ69N30P MOSFET, N-KANAL, 300V, 69A, TO-3P


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     8737-3438435
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTQ69N30P
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049 ohm
  • Produktpalette: Polar
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 69 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-3P
  • Drain-Source-Spannung Vds: 300 V
  • Verlustleistung: 500 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXTQ69N30P, 3438435, 343-8435
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