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| Artikel-Nr.: 8737-3440005 Herst.-Nr.: PHB27NQ10T,118 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 ohmProduktpalette: TrenchMOS MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 28 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 107 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: No SVHC (27-Jun-2024) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, PHB27NQ10T,118, 3440005, 344-0005 |
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