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NEXPERIA PHB33NQ20T,118 MOSFET, N-KANAL, 200V, 32.7A, TO-263


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3440006
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PHB33NQ20T,118
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 ohm
  • Produktpalette: TrenchMOS
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 32.7 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 200 V
  • Verlustleistung: 230 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, PHB33NQ20T,118, 3440006, 344-0006
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