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| Artikel-Nr.: 8737-3464005 Herst.-Nr.: NTH4L080N120SC1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 20 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 4 Pin(s)MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 29 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kVVerlustleistung: 170 WGate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75 VSVHC: Lead (14-Jun-2023) RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTH4L080N120SC1, 3464005, 346-4005 |
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