| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-3500951 Herst.-Nr.: IMZA65R072M1HXKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 18 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072 ohmProduktpalette: CoolSiC M1 Anzahl der Pins: 4 Pin(s)MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 28 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 96 WGate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 VSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, mosfet, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IMZA65R072M1HXKSA1, 3500951, 350-0951 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |