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IXYS SEMICONDUCTOR IXYT55N120A4HV IGBT, 1.2KV, 175A, 650W, TO-268HV


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-3513384
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXYT55N120A4HV
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
ixys igbt
Produktpalette: XPT GenX4
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV
  • Bauform - Transistor: TO-268HV
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom: 175 A
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Verlustleistung: 650 W
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: igbt, Dioden, Einfache, Gleichrichter, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXYT55N120A4HV, 3513384, 351-3384
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