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ONSEMI NTBG080N120SC1 MOSFET, N-KANAL, 1.2KV, 30A, TO-263HV


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-3528496
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTBG080N120SC1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 7 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 30 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV
  • Verlustleistung: 179 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: Lead (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTBG080N120SC1, 3528496, 352-8496
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