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STARPOWER GD100HFX65C1S TRANSISTOR, IGBT-MODUL, 650V, 127A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-3549219
Hersteller:
     STARPOWER
Herst.-Nr.:
     GD100HFX65C1S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Produktpalette: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Dauer-Kollektorstrom: 127 A
  • Bauform - Transistor: Modul
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 V
  • IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
  • Verlustleistung: 319 W
  • SVHC: To Be Advised
  • IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
  • IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
  • Transistormontage: Platte
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, STARPOWER, GD100HFX65C1S, 3549219, 354-9219
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