| |
|
| Artikel-Nr.: 8737-3585618 Herst.-Nr.: PMPB11R2VPX EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| | |
| Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112 ohmProduktpalette: Trench MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 9.7 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: DFN2020M Drain-Source-Spannung Vds: 12 VVerlustleistung: 1.9 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650 mVSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, PMPB11R2VPX, 3585618, 358-5618 |
| | |
| |