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GENESIC SEMICONDUCTOR G2R120MT33J MOSFET, N-KANAL, 3.3KV, 35A, TO-263


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-3598634
Hersteller:
     Genesic Semiconductor
Herst.-Nr.:
     G2R120MT33J
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 ohm
  • Produktpalette: G2R
  • Anzahl der Pins: 7 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Dauer-Drainstrom Id: 35 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 3.3 kV
  • Verlustleistung: 402 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V
  • SVHC: Lead (19-Jan-2021)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, GENESIC SEMICONDUCTOR, G2R120MT33J, 3598634, 359-8634
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