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GENESIC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17D MOSFET, SIC, N-KANAL, 1.7KV, 4A, 53W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-3598643
Hersteller:
     Genesic Semiconductor
Herst.-Nr.:
     G2R1000MT17D
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1 ohm
  • Produktpalette: G2R
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Dauer-Drainstrom Id: 4 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 1.7 kV
  • Verlustleistung: 53 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: Lead (19-Jan-2021)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, GENESIC SEMICONDUCTOR, G2R1000MT17D, 3598643, 359-8643
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