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ONSEMI NXH006P120MNF2PTG SIC-MOSFET, N-KANAL, 1.2KV, 304A, MODUL


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-3766231
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NXH006P120MNF2PTG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00548 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 36 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 304 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: Module
  • Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV
  • Verlustleistung: 950 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NXH006P120MNF2PTG, 3766231, 376-6231
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