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INFINEON IMBG65R039M1HXTMA1 MOSFET, SIC, N-KANAL, 650V, 54A, TO-263

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
8737-3928617

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IMBG65R039M1HXTMA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 18 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039 ohm

Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series

MSL: -

Anzahl der Pins: 7 Pin(s)

MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 54 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: TO-263

Drain-Source-Spannung Vds: 650 V

Verlustleistung: 211 W

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module

Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IMBG65R039M1HXTMA1, 3928617, 392-8617

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