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VISHAY SIHG21N65EF-GE3 MOSFET, N-KANAL, 650V, 21A, TO-247AC


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3929210
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHG21N65EF-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 ohm
  • Produktpalette: E Series
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 21 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247AC
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 208 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHG21N65EF-GE3, 3929210, 392-9210
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