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VISHAY SIHF6N65E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 650V, 7A, TO-220FP


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3929232
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHF6N65E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5 ohm
  • Produktpalette: E Series
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 7 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220FP
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 31 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHF6N65E-GE3, 3929232, 392-9232
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