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| Artikel-Nr.: 8737-3929810 Herst.-Nr.: NXH40B120MNQ0SNG EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 20 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 22 Pin(s)MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 38 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: Module Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kVVerlustleistung: 118 WGate-Source-Schwellenspannung, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, igbt module, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NXH40B120MNQ0SNG, 3929810, 392-9810 |
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