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TOSHIBA GT30N135SRA,S1E(S TRANSISTOR, IGBT, 1.35KV, 60A, TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3941898
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     GT30N135SRA,S1E(S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt toshiba
Produktpalette: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35 kV
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60 A
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Verlustleistung: 348 W
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: igbt, Dioden, Einfache, Gleichrichter, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, GT30N135SRA,S1E(S, 3941898, 394-1898
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