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| Artikel-Nr.: 8737-3943670 Herst.-Nr.: DMN65D8LFB-7B EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 260 mABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: X1-DFN1006 Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 430 mWQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 VSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, DIODES INC., DMN65D8LFB-7B, 3943670, 394-3670 |
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