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INFINEON IMW120R007M1HXKSA1 MOSFET, N-KANAL, 1.2KV, 225A, TO-247
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-3958239
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
IMW120R007M1HXKSA1
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung:
18 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.007 ohm
Produktpalette:
Produktreihe CoolSiC Trench
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
MOSFET-Modul-Konfiguration:
Eins
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
225 A
Betriebstemperatur, max.:
175 °C
Bauform - Transistor:
TO-247
Drain-Source-Spannung Vds:
1.2 kV
Verlustleistung:
750 W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
4.2 V
SVHC:
No SVHC (23-Jan-2024)
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module
Weitere Suchbegriffe:
(SiC)-MOSFET
,
Dioden
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Module
,
Siliziumkarbid
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
INFINEON
,
IMW120R007M1HXKSA1
,
3958239
,
395-8239
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Zubehör
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Art
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Hersteller/-Nr.
Preis
Zubehör
Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS 10 A 35V 8-Pin PG-DSO-8 30ns
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
ab CHF 1.14*
Zubehör
Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 18 A 5V 8-Pin PG-DSO-8-66 8.5ns
Infineon
1ED3241MC12HXUMA1
ab CHF 2.04*
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