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ONSEMI NXH020P120MNF1PTG MOSFET SIC, N-KANAL, 1.2KV, 51A, MODULE


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-3973632
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NXH020P120MNF1PTG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 18 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
  • Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Dauer-Drainstrom Id: 51 A
  • Bauform - Transistor: Modul
  • Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV
  • Verlustleistung: 119 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NXH020P120MNF1PTG, 3973632, 397-3632
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