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QORVO UF3C065080K4S SIC-SCHOTTKY-DIODE, 650V, 31A, TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-4014239
Hersteller:
     QORVO
Herst.-Nr.:
     UF3C065080K4S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Schottky Diode
schottky diode
Rds(on)-Prüfspannung: 12 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 4 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Dauer-Drainstrom Id: 31 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 190 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, QORVO, UF3C065080K4S, 4014239, 401-4239
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