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| Artikel-Nr.: 8737-4134276 Herst.-Nr.: PMPB09R1XNX EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091 ohmProduktpalette: TrenchMOS Series Anzahl der Pins: 6 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 13 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: DFN2020M Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 3 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900 mVSVHC: No SVHC (27-Jun-2024) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, PMPB09R1XNX, 4134276, 413-4276 |
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