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ROHM BSM450D12P4G102 MOSFET 2FACH N-KANAL 1.2KV, 447A, MODULE


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-4168759
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     BSM450D12P4G102
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: -
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 11 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
  • Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
  • Bauform - Transistor: Module
  • Dauer-Drainstrom Id: 447 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV
  • Verlustleistung: 1.45 kW
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ROHM, BSM450D12P4G102, 4168759, 416-8759
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