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| Artikel-Nr.: 8737-4168778 Herst.-Nr.: RD3P05BATTL1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 50 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 101 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2023) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RD3P05BATTL1, 4168778, 416-8778 |
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