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| Artikel-Nr.: 8737-4168995 Herst.-Nr.: XP10TN135N EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112 ohmProduktpalette: XP10TN135N Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 3 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOT-23 Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 1.38 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2023) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet-transistor 3a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP10TN135N, 4168995, 416-8995 |
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