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TOSHIBA TK28V65W,LQ(S MOSFET, N-KANAL, 650V, 27.6A, DFN


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-4173060
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TK28V65W,LQ(S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
toshiba mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 5 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 27.6 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: DFN
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 240 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK28V65W,LQ(S, 4173060, 417-3060
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