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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-9102337
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFD014PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 4 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 1.7 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: DIP
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 1.3 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, IRFD014PBF, 9102337, 910-2337
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