Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
8737-9844929

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FDC6306P

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -

Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9 A

Produktpalette: PowerTrench Series

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 6 Pin(s)

Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V

Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -

Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -

Kanaltyp: p-Kanal

Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17 ohm

Verlustleistung, n-Kanal: -

Verlustleistung, p-Kanal: 960 mW

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SuperSOT

Qualifikation: -

SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

RoHS konform: Ja

Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, ONSEMI, FDC6306P, 9844929, 984-4929

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