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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-9845313

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
2N7002

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 115 mA

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SOT-23

Drain-Source-Spannung Vds: 60 V

Verlustleistung: 200 mW

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1 V

SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet sot-23, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, 2N7002, 9845313, 984-5313

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