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Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-9846433

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FDC638P

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 12 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 6 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: p-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 4.5 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SuperSOT

Drain-Source-Spannung Vds: 20 V

Verlustleistung: 1.6 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 mV

SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet sot-23, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDC638P, 9846433, 984-6433

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