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VISHAY SI2333DS-T1-GE3 P CH MOSFET, Transistor Polarity:P Chann


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737N-1867182
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2333DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Qualifikation: -
  • Produktpalette: -
  • Verlustleistung: 750 mW
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025 ohm
  • Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Dauer-Drainstrom Id: 4.1 A
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • Kanaltyp: P Channel
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 V
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Transistormontage: Surface Mount
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 12 V
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2333DS-T1-GE3, 1867182, 186-7182
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